恩智浦与华为携手成立射频功放联合研发及创新实验中心

来源：EDN电子设计技术
时间：2011-09-30

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　　恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.与华为技术有限公司携手成立的首个射频功放联合研发及创新实验中心正式落户上海。恩智浦射频功率产品部总经理Reiner Beltman 和华为技术有限公司无线产品线中射频与基站平台部部长郦舟剑出席了实验中心的开幕庆典，宣布即日起实验中心正式投入使用。这标志着恩智浦和华为技术有限公司的业务联系与技术合作进入了新的阶段，恩智浦在射频功率器件领域的领导地位获得广泛认可。　　

　　恩智浦与华为全力支持实验中心建设，包括购买相关的仪器设备、建立自动化测试平台、人员配备等。实验中心秉承恩智浦与华为在射频应用设计领域的经验和创新理念，在无线基站相关的射频功率领域，对前沿技术进行更为深入的合作和拓展开发，进一步推动无线基站向着绿色、环保、经济的方向演进。

　　恩智浦射频产品种类丰富，覆盖从用于功率放大器的高功率LDMOS到用于RF/IF单片微波集成电路的SiGe:C BiCMOS。此外，先进的高速转换器CMOS工艺满足客户对射频前端系统的市场需求。恩智浦所有技术均由公司内部设计和生产，可根据具体应用进行有针对性的定制开发。