安森美半导体与Transphorm建立新的合作关系

    共同开发的产品采用Transphorm高压GaN晶体管，并提供电源系统参考设计，将为工业、计算机及电信应用提供前所未有的高能效及功率密度。

    2014年9月26日 – 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)与功率转换专家Transphorm宣布已建立了新的合作关系，共同开发及共同推广基于氮化镓(GaN)的产品和电源系统方案，用于工业、计算机、电信及网络领域的各种高压应用。

    这策略合作充分发挥两家公司固有的实力。Transphorm是公认的家将600伏(V)GaN硅晶体管量产通过授证的公司，并在这先进技术有无与伦比的经验。安森美半导体是一家的高能效电源方案供应商，在系统设计具备深厚的专知和技术，提供宽广的阵容产品，从功率分立器件、高性能AC-DC控制器及集成开关稳压器到全定制专用集成电路(ASIC)电源管理方案。

    GaN在电源应用已证明能提供优于硅基器件的重要性能优势。安森美半导体和Transphorm合作开发的新世代封装产品将提供可靠及授证的方案，令工程师实现前所未有的高能效和功率密度水平。

    安森美半导体标准产品部执行副总裁兼总经理贺彦彬(Bill Hall)说：“安森美半导体充分认识到GaN技术可带给功率电子市场的固有优势，我们非常高兴与这领域公认的领袖合作，此外我们也有自己的GaN开发工作。这项新的重要合作，在策略上结合了我们可观的电源系统方案实力及Transphorm的GaN专知和技术。我们的合作能够增强客户对此新技术的信心，及加速它广泛的市场采纳。”

    Transphorm首席执行官(CEO) Fumihide Esaka说：“跟像安森美半导体这样的电源半导体公司合作，确认了Transphorm在GaN的地位，将为我们客户提供更宽广的基于GaN的产品及方案。我们的合作不仅对加快GaN的市场渗透具有重要作用，还对整个电源转换行业富有意义。”

    首批共同开发的基于600 V GaN晶体管方案预计将于2014年底前开始提供样品。这些方案将用于200 W至1000 W功率范围的高功率密度应用，用于电信及服务器市场的紧凑型电源。根据合作条款，共同开发的封装晶体管产品将包括安森美半导体的用于共源共栅(cascoded)开关的低压MOSFET硅片，及Transphorm的获得证明的GaN高压高电子迁移率晶体管(HEMT)。这些器件将在安森美半导体的制造厂联合封装、组装及测试。

    电源系统参考设计将提供给客户，使他们能够应用包含GaN晶体管和高性能AC-DC控制器的新方案，以充分利用GaN器件的技术优势。 安森美半导体与 Transphorm建立新的合作关系

    共同开发的产品采用Transphorm高压GaN晶体管，并提供电源系统参考设计，将为工业、计算机及电信应用提供前所未有的高能效及功率密度。

    2014年9月26日 – 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)与功率转换专家Transphorm宣布已建立了新的合作关系，共同开发及共同推广基于氮化镓(GaN)的产品和电源系统方案，用于工业、计算机、电信及网络领域的各种高压应用。

    这策略合作充分发挥两家公司固有的实力。Transphorm是公认的家将600伏(V)GaN硅晶体管量产通过授证的公司，并在这先进技术有无与伦比的经验。安森美半导体是一家的高能效电源方案供应商，在系统设计具备深厚的专知和技术，提供宽广的阵容产品，从功率分立器件、高性能AC-DC控制器及集成开关稳压器到全定制专用集成电路(ASIC)电源管理方案。

    GaN在电源应用已证明能提供优于硅基器件的重要性能优势。安森美半导体和Transphorm合作开发的新世代封装产品将提供可靠及授证的方案，令工程师实现前所未有的高能效和功率密度水平。

    安森美半导体标准产品部执行副总裁兼总经理贺彦彬(Bill Hall)说：“安森美半导体充分认识到GaN技术可带给功率电子市场的固有优势，我们非常高兴与这领域公认的领袖合作，此外我们也有自己的GaN开发工作。这项新的重要合作，在策略上结合了我们可观的电源系统方案实力及Transphorm的GaN专知和技术。我们的合作能够增强客户对此新技术的信心，及加速它广泛的市场采纳。”

    Transphorm首席执行官(CEO) Fumihide Esaka说：“跟像安森美半导体这样的电源半导体公司合作，确认了Transphorm在GaN的地位，将为我们客户提供更宽广的基于GaN的产品及方案。我们的合作不仅对加快GaN的市场渗透具有重要作用，还对整个电源转换行业富有意义。”

    首批共同开发的基于600 V GaN晶体管方案预计将于2014年底前开始提供样品。这些方案将用于200 W至1000 W功率范围的高功率密度应用，用于电信及服务器市场的紧凑型电源。根据合作条款，共同开发的封装晶体管产品将包括安森美半导体的用于共源共栅(cascoded)开关的低压MOSFET硅片，及Transphorm的获得证明的GaN高压高电子迁移率晶体管(HEMT)。这些器件将在安森美半导体的制造厂联合封装、组装及测试。

    电源系统参考设计将提供给客户，使他们能够应用包含GaN晶体管和高性能AC-DC控制器的新方案，以充分利用GaN器件的技术优势。