安森美半导体推出新类的CCD图像传感器

    新的KAE-02150图像传感器结合行间转移CCD及电子倍增技术，为工业应用在日光及星光下提供非凡的微光视频捕获性能。

    2014年11月4日 – 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出新类的电荷耦合器件(CCD)图像传感器技术，为工业市场的微光成像树立新的基准。

    这新技术结合安森美半导体业界的行间转移(Interline Transfer, IT) CCD像素设计及新开发的电子倍增(Electron Multiplication, EM)输出结构，使图像传感器方案能够提供亚电子(sub-electron)噪声性能及CCD级图像品质和均匀性，用于极微光成像。KAE-02150是首款采用新技术的图像传感器，能在日光到星光、高光到背光等差异很大的光照条件下捕获1080p(1920  x 1080)视频，因而大幅拓展单摄像头成像系统的成像能力。这在极缺乏光照的应用中尤为有用，如监控、防卫/军事、科学及医疗成像、智能交通系统。

    安森美半导体图像传感器业务部副总裁Chris McNiffe说：“KAE-02150图像传感器是我们首款充分利用新的行间转移EMCCD技术的器件，为业界提供了一款革命性的方案。CCD器件的优异图像品质及均匀性扩展至极微光条件，使工业市场的客户能在有难度成像条件下获得全新的性能水平。这明显展示了安森美半导体独一无二的能力，能充分利用公司不断扩增的成像技术，为客户提供先进的成像方案。”

    KAE-02150采用创新的输出电路设计，用于同一图像内以逐一像素为基础利用传统CCD(低增益)或EMCCD(高增益)输出，支持高动态范围(HDR)成像。各个单独像素的电荷被测量，信号电平与拍照系统中用户可选择的阈值比较，以确定各个电荷包(packet)的路由位置。场景中极微光照区域的像素可以选择性地路由至EMCCD输出，而图像中明亮区域的像素(通常可能会使EMCCD寄存器饱和及使图像失真)，会路由至传统CCD输出放大器。有了这种场景内可切换增益特性，两种输出的信号因而可以重新组合，使单个摄像头能够恰当地在暗视场中呈现明亮的区域，能够提供变化光照条件下的动态补偿，如前照灯进入或离开微光的场景。

    新的KAE系列器件基于TRUESENSE 5.5微米IT-CCD平台已证明行之有效的性能。这IT-CCD平台带有全局快门、优异图像均匀性、高调制传递函数(MTF)，用于当今100万像素至2,900万像素的宽广阵容器件。KAE系列将会扩充，加入额外的光学格式、分辨率及像素大小。

    KAE-02150现已提供样品，具备单色及拜耳色彩配置。2014年底前还将提供包含硬件及软件的评估套件，使客户能够针对他们特定应用鉴定这新器件的性能。

VISION Trade Fair
    KAE-02150图像传感器将于2014年11月4日至6日在德国斯图加特2014 VISION展览会上的安森美半导体展位(1C82)上展示。