微芯新推2.4GHz RF放大器：极低电流超高输出

OFweek 电子工程 网讯：微芯科技(Microchip Technology Inc.)宣布推出的2.4 GHz 256-QAM 射频(RF)高功率放大器 SST12CP21 ，为256-QAM 和IEEE 802.11n 系统提供极低的 EVM 与电流消耗。 SST12CP21 采用小型封装，并实现适用于远距离和高资料速率 WLAN 的高线性输出功率与低电流消耗。

SST12CP21 可在5V电压、320mA电流消耗时对于采用 MCS9 HT40 调制和40 MHz的频宽的1.75%动态 EVM 提供高达23 dBm的高线性输出功率。此外， SST12CP21 还可在3% EVM 下为802.11g/n 应用提供25 dBm的线性输出功率，消耗电流仅为350mA。这显著扩大了802.11b/g/n WLAN 和 MIMO 系统的范围，同时能以极低的电流消耗实现的256-QAM资料速率。

SST12CP21 频谱还适用于输出功率高达 28 dBm 的802.11a/n/ac通讯。该元件进一步缩小了 电路板 空间，采用小型3 x 3 x 0.55 mm 16接脚QFN封装，可匹配一个常用的接脚输出。

对于那些设计 Wi-Fi MIMO 存取接取点、路由器和机上盒系统的人员而言，同时实现资料速率、远范围并将电流消耗降到低，这一点至关重要的。SST12CP21 功率放大器在输出功率为23 dBm和25 dBm时的工作电流分别低至320mA和350mA，适用于多通道和更高资料速率的 WLAN 系统。

该放大器包含50欧姆晶片输入匹配电路和简单的输出匹配电路，不仅易于使用而且减少了电路板面积。此外，内建线性功率检测器可实现温度范围内精确的输出功率控制以及2:1的输出不匹配。

Microchip 射频部副总裁Daniel Chow表示：“Microchip的射频功率放大器有着可靠的性能和仅有使用 InGaP / GaAs HBT 才能实现的高功率效率，因此在 WLAN 市场占有很高的地位。 SST12CP21 能在宽温度范围内实现同样可靠的作业，且 EVM 更低。这款新型功率放大器除了能实现更高效率的作业，即在仅消耗320mA、350mA电流的情况下分别以1.75% EVM 和3% EVM 提供23 dBm和25 dBm的输出功率，还扩大了 802.11n 及超高资料速率256-QAM MIMO 系统的范围。”

Microchip同时推出了 SST12CP21 功率放大器的评估板。 SST12CP21 采用3 x 3 x 0.55 mm 16接脚QFN封装，现已开始提供样片并投入量产。