新一代移动存储器规格LPDDR4出炉

OFweek 电子工程 网讯：JEDEC固态技术协会(Solid State Technology Association)日前公布新一代行动记忆体规格 JESD209-4 LPDDR4，号称其速度是前一代LPDDR3的两倍。

根据该协会发布的新闻稿， LPDDR4 由 LPDDR3 的单通道架构升级为双通道、每通道16位元，总位元宽度达到32位元; LPDDR4 的I/O资料传输速率为3200 MT/s，总运作速率为4266 MT/s ，是LPDDR3运作速率2133 MT/s的两倍。

而因为采用双通道架构，降低了记忆体阵列到I/O接合垫(bond pads)之间资料讯号传递距离，因此新规格也能达到更低的功耗。

JEDEC理事会主席Mian Quddus 在新闻稿中表示，LPDDR4规格在性能上有大幅的提升：“是为了迎合全球先进行动系统对功耗、频宽、封装、成本以及相容性方面的需求。”

新规格重点如下：

˙双通道架构;

˙提供CA与DQ的内部参考电压(Internal Vref);

˙资料汇流反转(Data Bus Inversion，DBI-DC);

˙CA与DQ内部终端电阻(ODT);

˙I/O吞吐量3200 MT/s、可达4266 MT/s;

˙信令电压(Signaling voltage)：367mV~440mV;

˙运作电压：1.1V;

˙预先撷取(Pre-fetch)容量：每通道32B;

˙拓朴：点对点、PoP、MCP;

˙I/O电容：1.3pF;

˙写入均衡(Write leveling);

˙6接脚(双通道12接脚) SDR CA汇流排，具备调驯功能(CA training);

˙与前几代低功耗DRAM规格相同，LPDDR4不需要DLL与PLL。

其他详细资讯请参考JDEC官网：//www.jedec.org。