业界首款支持HSPA+10的高通第三代LTE芯片组

导言：高通公司下一代Gobi™调制解调器芯片组——首批支持HSPA+版本10和下一代LTE移动宽带标准LTE增强型的芯片组，将于2012年第四季度开始出样。MDM9225和MDM9625芯片组也将是首批支持LTE载波聚合和数据传输速率高达150 Mbps的真正LTE Category 4的芯片组，使网络运营商可以提升其LTE服务区域的宽带速度。

高通公司于2012年2月27号宣布其下一代Gobi™调制解调器芯片组MDM8225™、 MDM9225™和MDM9625™将于2012年第四季度开始出样，这三款芯片组也是首批支持HSPA+版本10和下一代LTE移动宽带标准LTE增强型的芯片组。MDM9225和MDM9625芯片组也将是首批支持LTE载波聚合和数据传输速率高达150 Mbps的真正LTE Category 4的芯片组，使网络运营商可以提升其LTE服务区域的宽带速度。这几款芯片组采用28纳米制造工艺，在性能和功耗方面均有显著提升，并将支持多种移动宽带技术，为智能手机、平板电脑、超便携笔记本电脑、便携式无线热点设备、数据收发器和客户前提设备提供同类的移动宽带体验。

             

LTE载波聚合是一项重要技术，可以在一个频段内及跨频段将多个 无线电信道结合在一起，从而提高用户的数据传输速率，减少延迟，并为没有20 MHz连续频谱的运营商提供Category 4功能。MDM9225和MDM9625芯片组是目前能够支持载波聚合技术的移动宽带芯片组，OEM厂商可以利用这些芯片组打造能够充分利用LTE增 强型网络优势的终端。

MDM9225和MDM9625芯片组是高通公司的第三代LTE调制解调器芯片组。除了同时支持LTE增强型 （LTE版本10）和HSPA+版本10（包括84 Mbps的双载波HSDPA），还向后兼容其它标准，包括EV-DO增强型、TD-SCDMA和GSM。这两款芯片组将业界可整合7种不同无线电接入 模式的调制解调器集成到了一款单基带芯片上，其中包括：CDMA2000（1X、DO）、GSM/EDGE、UMTS（WCDMA、TD-SCDMA）以 及LTE（LTE-FDD 和 LTE-TDD）。这使得OEM厂商可以设计出能够在全球各地日益多样化的无线电网络上部署和配置的各种移动终端。

高通公司CDMA技术集团产品发展高级副总裁克里斯蒂安诺•阿蒙表示：“我们一代的Gobi调制解调器芯片组将使OEM厂商能够设计可以运行在全球 各地几乎所有移动宽带网络上的产品。除了支持的移动宽带技术外，相比高通公司之前的7模28纳米LTE芯片组（MDM9x15），这些芯片组还降低了 功耗，并减少了整体电路板面积，使OEM厂商可以设计更小、更轻薄且电池续航时间更长的终端。”

此外，通过一个功能丰富、基于 Linux应用程序开发环境和可选移动接入点软件栈，第三代Gobi调制解调器芯片组提供了一个集成的应用处理器和多个硬件加速器。客户可以利用应用程序 开发环境创建增值应用程序，使其基于MDM8225/9x25芯片组的终端能做到差异化。如果搭配使用高通创锐讯AR6003或AR6004芯片组，移动 接入点软件栈使客户能够设计高性能、低功耗的便携式和固定式802.11n路由器。这些路由器将为具备Wi-Fi功能的终端提供高达150 Mbps的数据连接。

MDM8225芯片组仅支持UMTS终端，MDM9225芯片组支持LTE和UMTS终端，而MDM9625芯片 组则支持LTE、UMTS和CDMA2000终端。三款芯片组预计将于2012年第四季度开始出样。