华大电子推出中国颗55纳米智能卡芯片

    上海2014年8月4日电 /美通社/ -- 中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”，纽约证交所股票代码：SMI，香港联交所股票代码：981）与北京中电华大电子设计有限责任公司（“华大电子”）共同宣布，华大电子推出中国颗55纳米智能卡芯片，该芯片采用中芯国际55纳米低功耗（LL）嵌入式闪存（eFlash）平台，具有尺寸小、功耗低、性能高的特点，目前已实现量产供货，其优良性能得到客户的广泛认可。

    中芯国际的55纳米低功耗嵌入式闪存平台，可为智能卡芯片客户提供一个兼具高性能和低成本的解决方案。该平台具有完全的逻辑兼容性，所有1.2V逻辑库IP皆可用于此嵌入式平台；采用逻辑电压更低的1.2V核心器件，可在程度上降低芯片功耗，提升产品性能；后段采用铜制程，由于铜的电迁移性可造成电阻性的改良，使现有设计能够采用较高的电流密度，造就更佳的性能与可靠性；芯片面积有大幅缩减，更小的尺寸使大型闪存应用成为可能；随着闪存单元的持续缩减，芯片面积将进一步优化，实现成本效益。目前，该技术平台已通过产品可靠性测试，能够满足标准智能卡的应用需求。基于此平台，华大电子成功地将中国款基于55纳米先进工艺的智能卡芯片推向市场。

    “华大电子始终致力于对新技术和新应用的探索，包括基于55纳米工艺的模拟电路设计技术和系统设计技术，以及12英寸晶圆测试和减划技术等，并将研究成果应用于产品开发，快速实现新产品的上市。”华大电子总经理董浩然表示，“此次与中芯国际在55纳米智能卡芯片方面的成功合作，进一步巩固了华大电子在国内该领域的领导地位，同时让我们看到中芯国际在推动先进工艺发展方面所作的努力，其稳定和完整的工艺平台给我们留下了深刻的印象，相信通过我们共同的努力可以为客户提供低成本、低功耗、高可靠性和耐久性的产品。”

    “中芯国际一直专注于为客户提供差异化产品和高品质的制造服务，并凭借先进的工艺技术提供高度整合的平台及高效能的解决方案，以更好地满足客户需求。” 中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云博士表示，“华大电子是中国智能卡芯片技术的推动者，我们很高兴能够成为其合作伙伴并帮助其推出的智能卡芯片产品。当前中国智能卡市场发展迅速，中芯国际将继续深化与华大电子的合作，共同开拓市场，以先进的工艺平台和完善的服务帮助客户赢得更多的市场份额。”