高通FinFET芯片订单擦身过台积电新制程陷激战

    近期业界传出高通(Qualcomm)将首颗FinFET制程芯片订单下给三星电子，且为高通首度将新制程订单直接跳过台积电，震撼半导体业界，由于台积电与三星正展开16/14纳米制程激战，台积电客户高通新世代FinFET制程订单却下给三星，此举有别于过去芯片大厂考量技术及产能，新世代制程都会先在台积电投片，再转到其他晶圆代工厂生产的前例。

三星重押FinFET世代全力抢下高通订单

    半导体业者透露，三星为扶植旗下LSI部门，内部下达密令，一定要用尽所有代价绑住高通这位手机芯片大客户，甚至祭出几乎是没获利、全力技术／人力支持策略，以吸引高通在鳍式场效电晶体(Fin Field-Effect Transistor；FinFET)新制程能够从台积电转至三星下单。

    由于三星LSI部门表现不佳，6月初起负责记忆体事业群的金奇南亦兼任半导体和系统LSI事业部长，三星更决定将重押14纳米FinFET制程世代，甚至对外释出会将晶圆代工事业的重要性，摆在自家AP处理器事业之上的讯息，大力重振晶圆代工业务。

FinFET制程难度高　台积电胸有成竹

    半导体业者指出，从平面式电晶体跨到鳍式电晶体设计时，对半导体厂是一大考验，当初台积电没有选择跟随英特尔(Intel)14纳米制程设计，而是独创16纳米世代，就是为能快速进入FinFET制程世代，更加巩固晶圆代工龙头地位。

    由于16纳米制程的芯片大小(die size)天生就比14纳米大颗，台积电为求好心切，改版推出16纳米FinFET Plus制程，将die size缩小，更适合移动产品的轻薄短小特性，但仍是比三星14纳米芯片体积稍微大一些，这让部分客户存疑，不过，台积电内部仍十分有信心可用高良率优势提升产出，并降低生产成本。

    半导体业者认为，尽管高通采取多元晶圆代工厂策略，目前包括先进28纳米或是成熟制程，都广泛与台积电、三星、GlobalFoundries、联电、中芯国际等业者合作，然FinFET技术对于半导体产业发展极具重要性，高通在踏出步时选择携手三星，而非台积电，恐怕得面对不小风险。

Altera殷鉴不远　高通仍可能回头

    不过，未来高通是否会重演当初Altera转单英特尔、后来又回头找台积电代工的历史，仍有待观察，过去台积电大客户FPGA大厂Altera在每个制程世代，几乎都是采取单一晶圆代工厂策略，但在14纳米FinFET制程却放弃与台积电合作，而选择携手英特尔，让业界大震撼，然后来因英特尔14纳米制程良率不顺，Altera又传出回头找台积电合作。

    另外，不同于高通先进制程订单转至三星，其劲敌联发科对于台积电先进制程非常捧场，除了28纳米制程外，台积电2014年量产的20纳米制程，联发科亦已进行投单开案，至于台积电改版16纳米FinFET Plus新制程，联发科也开始进入试产，2015年将持续力战高通。 360°：FinFET制程

    20纳米是半导体平面式电晶体后一代，台积电从16纳米制程开始，三星电子(Samsung Electronics)从14纳米制程开始，都将转到3D鳍式电晶体FinFET设计。除了台积电之外，包含三星、GlobalFoundries、联电、中芯国际，都在14纳米制程导入FinFET，因此台积电在16纳米制程导入FinFET，在晶圆代工产业可说是独树一格。

    3D FinFET制程世代是半导体产业重要一步，台积电和三星都计画于2015年进入量产，预计第3季开始可进入大量生产期。

    台积电和三星在16/14纳米制程上，也推出改良版本，强化既有制程技术版本效能。台积电推出16纳米FinFET Plus制程改良版本，诉求比版本更为省电和体积更小、效能更高。同时，三星14纳米FinFET版为14纳米LPE(Low Power Early)，改良版本为14纳米LPP(Low Power Plus)。