专家：磁阻式随机存取记忆体的时代还没来

    磁阻式随机存取记忆体(MRAM)或许在许多应用领域有取代 DRAM 与 SRAM 的潜力，但就连市场上家生产这种非挥发性记忆体的供应商都认为，这种取代的过程得花上好一段时间。

    一份来自资料储存产业顾问机构 Coughlin Associates的报告指出，全球 MRAM 市场复合年成长率(CAGR)可达50%，包括MARM与STT-MRAM在内的整体市场营收将由 2013年的1.9亿美元，在2019年达到21亿美元。

    Coughlin Associates创办人Tom Coughlin表示，MRAM一个显著的优势是能与CMOS制程相容，此外因为该制程技术成熟，相关的整合与 3D NAND 技术比起来比较不那么令人却步。他指出，MRAM技术的演进可能会追随快闪记忆体的脚步──也就是在被广泛采用以及价格下降、储存密度提升之前，先在一些利基型应用领域赢得青睐。

    Coughlin并指出，STT (Spin-Torque-Transfer，自旋力矩转移)-MRAM特别能提供在读取/写入以及耐久性方面的优势。而Gartner分析师Brady Wang则表示，MRAM被发现用来做为固态硬碟(SSD)的快取记忆体，但其密度仍然太低，通常应用在工业领域。

    MRAM胜过DRAM的优势在于其非挥发性；Wang表示，，就像NOR或NAND快闪记忆体一样，STT-MRAM能在没有持续外部供电的情况下保存资料，而且其耗电量很低。此外由于结构简单，MRAM的扩展性也优于SRAM，能提升微缩程度并可望进一步降低制造成本。

    而Wang也指出，与NAND快闪记忆体相较，STT-MRAM能在没有中间的抹除步骤情况下，在储存0与1之间切换；而该抹除步骤在快闪记忆体内是不可少的，也增加了写入延迟。这使得设计STT-MRAM控制晶片相对比设计NAND快闪记忆体控制晶片简单许多。

    Wang表示，目前市场上生产MRAM晶片的厂商是Everspin Technologies，目前产品记忆体容量为64Mb；而128Mb甚至1Gb的MRAM可能会在未来两年内问世，其中1Gb产品将可望让MARM进军消费性应用。

    Everspin产品行销总监Joe O"Hare表示，其MRAM产品(该公司在5年多前就开始推出)，一开始应用在工业领域；而Everspin也已看到包括工业自动化、机器人、交通运输以及医疗等应用领域对MRAM的广泛采用。不过MRAM的成长动力是来自企业储存。

    随着容量提升，Everspin将MRAM视为非挥发性记忆体获得进一步采用的桥梁，在能提供媲美DRAM的性能同时，也能有更多像快闪记忆体一样的储存记忆体。O"Hare表示，随着各种新兴技术出炉，MRAM可望成为性、高性能储存技术的关键选项。

    MRAM在企业储存领域的应用案例之一是RAID系统，O"Hare指出，这类应用的考量是要在电力丧失时迅速复原；MRAM被应用于储存元资料(metadata)以及储存系统资料，因此如果电力中断，系统资讯仍能被保存在非挥发性MRAM，让RAID系统能更快自我重建。

    O"Hare也表示，Everspin还看到MRAM在其他企业储存领域的许多应用，那些应用不需要DRAM的容量密度，但可利用非挥发性记忆体的优势；这个市场的规模很够分量，而且并不是以价格来竞争，系统的可靠度才是重要推手。

    不过Objective Analysis首席分析师Jim Handy 表示，终价格与容量密度才是决定MRAM是否能大规模取代DRAM 或SRAM的关键，虽然其低功耗特性很吸引人，但大多数企业组织并不会去做那样的整体拥有成本(TCO)估算；MRAM能在某些应用领域取代SRAM，以免除很容易出现故障的备用电池需求。

    Handy指出，看重MRAM非挥发特性的产业(例如将其应用在ATM的金融业)，会愿意为这种记忆体付出较高的代价；可是在目前，DRAM与快闪记忆体搭配各自的技术演进，仍扮演称职的角色，因此并没有立即性的理由被取代。