道康宁推出电力电子行业碳化硅晶圆分级结构

    密歇根州米德兰市 - 全球有机硅及宽带隙半导体技术企业道康宁公司，今天推出全新碳化硅（SiC）晶体分级结构，为碳化硅晶体创立了行业新标准。新分级结构对相关致命性产品缺陷，如微管位错（MPD）、螺纹螺位错（TSD）、和基面位错（ BPD）等，具有更严格的容忍度。

    这一开创性分级结构旨在优化使用道康宁高品质Prime Grade系列100 mm 碳化硅晶片设计和制造的新一代电力电子器件的设计自由度、性能和成本。道康宁公司目前向市场提供Prime Standard、Prime Select 和 Prime Ultra的三种不同品质的新型碳化硅衬底。

    “作为先进碳化硅材料技术的企业，道康宁公司认识到，宽带隙半导体技术在提供高品质产品的同时，更应着眼于赋予客户卓越的整体价值，”道康宁公司首席技术官Gregg Zank表示。

    “这种全新碳化硅晶体分级结构是道康宁公司为行业带来的又一项首创，完全契合我们的这种理念，它也是我们与全球电力电子器件制造商密切合作的成果，不同的选择有助于帮助他们以的成本，快速实现其不断发展和创新的设计目标。”

    道康宁公司新产品分级结构中的各个Prime Grade系列晶圆产品为缺陷密度及其他关键性能设置了更严格的公差范围，客户可以根据特定器件的应用要求，在硅片质量和价格之间获得好的平衡。

    虽然已有不少碳化硅衬底制造商承诺要降低微管密度，但道康宁公司是首家对包括TSD及BPD在内的其它致命性缺陷公差作出明确定义的企业。这些缺陷会降低器件的成品率及生产效率，且会影响大面积、新一代电力电子器件制造的成本效益。

    道康宁公司全部Prime Grade系列100 mm碳化硅晶片具有一贯优良的机械特性，确保与现有的和正在开发的设备制造工艺相容。Prime Grade系列产品包括：

• Prime Standard碳化硅晶片：可确保MPD≤0.5 cm-2，对于简单碳化硅电力电子器件的设计，如肖特基或结势垒肖特基二极管，是一种可在性能和成本之间获得平衡的极有吸引力的选择方案，适用于较低到中等额定电流值。
• Prime Select碳化硅晶片：公差更严格（MPD≤0.5 cm-2）和（BPD ≤800 cm-2），适用于要求更高的碳化硅设备，如直插式二极管或开关。
• Prime Ultra碳化硅晶片：可满足对晶体质量要求的高功率器件的设计。这一等级的碳化硅衬底MPD（≤0.1 cm-2），BPD（≤500 cm-2），TSD （≤300 cm-2）极低，晶片电阻率分布范紧密，适用于当今先进的碳化硅电力电子器件的设计，包括金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）、结栅场效应晶体管（JFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBTs）、以及双极型晶体管（BJT）或直插式二极管交换设备。此外，这一等级基材品质优异，在高电压（3.3 kV及更高版本）和大额定电流设备中使用非常有优势。

    “对不同等级晶片品质的公差进行精确界定，加上道康宁公司极具竞争力的定价结构，反映了公司对硅基半导体市场中不同竞争需求的深刻把握，”道康宁公司化合物半导体解决方案副总裁Tang Yong Ang表示，“道康宁公司在卓越的技术、应用专业的知识和硅材料协同创新方面拥有深厚的积淀，同时又能将之应用到新一代化合物半导体技术发展之上，很少有竞争对手能做到这点。凭借这种全新晶片分级结构，我们希望为业界带来具有高品质的碳化硅衬底，帮助世界各地的客户在快速增长的电力电子行业展开竞争并取得成功。

    有关100 mm碳化硅晶片的Prime Standard、Prime Select 和 Prime Ultra等级标准，可从道康宁公司全球各个机构获取，供标准化生产的开发和打样之用。