安森美推出180 nm工艺上经过认证的新IP模块

   有助缩短上市周期，ONC18工艺上经过认证的知识产权帮助降低重新设计风险，并提升产品设计周期及成本的可预测性 。

  2014年5月7日 – 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)宣布推出专有ONC18 180纳米(nm)工艺技术上的经过认证的新的知识产权(IP)。这些新的经过认证的电路模块将帮助安森美半导体的晶圆代工厂(GDS2)接口客户把需要硅片重制(re-spin)的风险降至低，因而帮助降低新设计的开发成本及缩短上市周期。

   安森美半导体的定制晶圆代工业务部持续提供新的IP模块；这些IP模块通过Micro Oscillator Inc.、Senseeker Engineering Inc.及Silicon Storage Technology, Inc.等外部供应商开发的专有工艺的认证。近通过认证的10个新的IP模块提供的功能涵盖从小间距列并行模数转换器(ADC)及低温兼容型低压差分信令(LVDS)驱动器到超低功率振荡器及极小占位面积一次性可编程(OTP)存储器等。这些IP模块适用及有利于广泛的客户终端市场，包括军事/航空、医疗、消费、计算机、通信及汽车。这些经过认证的IP除了配合这些终端市场ASIC设计人员的工作，还将帮助设计公司降低成本，及给他们的终端客户报价时提供更准确的计划表。

   安森美半导体军事/航空、数字、定制晶圆代工、集成无源器件(IPD)及图像传感器产品分部副总裁Vince Hopkin说：“把我们的半导体工艺上的混合信号IP通过认证，是我们策略的一个关键，以帮助多种多样行业市场及终端应用的设计人员缩短他们新产品的上市周期及降低开发成本。使用通过认证的IP能减轻高昂的重新设计需要。有时候设计人员需要重新设计来解决开发阶段未预料到的电路模块性能问题或特性，因而可能严重地延迟产品的上市。”