三星电子(Samsung Electronics)在大陆西安半导体工厂即将于5月9日举行启用典礼，正式投入NAND Flash生产，不仅三星半导体事业营收可望出现较大幅度增长，由于三星西安半导体工厂比原先预期投入更多预算，终投资额逼近100亿美元大关，凸显三星全力冲刺NAND Flash事业的企图心。
三星加码投资西安厂关键在于3D V-NAND，由于其被视为新一代存储器，随着市场需求扩大，三星积极投入生产，藉由扩大投资、提高生产规模，抢占3D V-NAND市场先机与主导权。 2013年三星成为全球家成功量产3D V-NAND的业者，若3D V-NAND价格能在短时间内快速下降，将有助于三星进一步拓展存储器市场。
根据南韩媒体引述业界消息指出，三星大陆西安NAND Flash工厂终投资额高达100亿美元，可说是三星手笔的海外投资，当初三星原本规划这项投资的金额为70亿美元，后来又追加30亿美元，相当于三星2013年净利的3分之1。三星西安厂投入生产后，不仅可强化三星半导体事业营收，亦可改善目前三星过度偏重智能型手机事业的状况，改善公司整体营收结构。
三星西安厂产能为每月10.0万~12.5万片(12吋晶圆)，设备投资约10兆韩元(96亿美元)，至于三星位于南韩华城工厂的16产线，月产能20万片，设备投资规模约20兆韩元(192亿美元)，目前三星华城工厂主要生产NAND Flash与3D V-NAND，由于大陆市场需求快速崛起，强化大陆NAND Flash产能已成为三星必然的选择。
2013年三星DRAM与NAND Flash事业营收分别为127亿与87亿美元，随着三星西安半导体工厂于5月9日举行启用典礼、正式投入生产，三星半导体事业营收将大幅增加，且自2014年起NAND Flash营收占比有机会上升。
另外，全球NAND Flash市场规模逐步扩大，尤其自2014年起在移动装置应用中，NAND Flash销售可望超越DRAM，意谓着半导体市场主角正慢慢从DRAM转换至NAND Flash。三星相关人士表示，由于NAND Flash市场前景乐观，若三星3D V-NAND能快速在市场攻城掠地，加上系统半导体业绩表现能获得改善，三星营业利益有机会再创佳绩。
