受惠于全球智慧手机出货即将步入传统旺季，加上中国地区TD-LTE市场快速崛起亦带动手机出货与规格迅速攀升，在需求端快速成长的牵引下，行动式记忆体厂商接单畅旺，第2季更将出现供货吃紧状态，部份品项价格可望向上攀升，台系厂商华亚科、南科、华邦电、晶豪科以及封测厂力成、南茂、华东等将可望同步沾光。
据研究机构集邦科技统计，第2季全球智慧手机的出货季成长将达到5.2％，而来自中国品牌厂的季成长更高过市场平均值，季成长更高达10%以上。
集邦科技研究协理吴雅婷表示，行动式记忆体自2013年下半年起取代标准型记忆体，成为DRAM市场产出量多的商品，且今年度将完成LPDDR2转进LPDDR3的世代交替。
由于LPDDR3转进速度超乎预期，已造成今年仍采用LPDDR2为主力的手机厂，在颗粒方面已经呈现供货吃紧的窘境，亦让非一线大厂、议价能力较低的厂商拿不到足够的供货，使得以LPDDR2为主的相关产品价格向上攀升。
吴雅婷认为，行动式记忆体供给端的寡占型态较标准型记忆体市场更为明显，尤其eMCP/CI-MCP的产品带除了三星与SK海力士2大韩商之外，没有其他供货的选择，造成价格走势波动更加明显。
针对DRAM三大厂做分析，三星与美光半导体（含尔必达）大部分行动式记忆体都已经转到LPDDR3，目前LPDDR2产出比率的厂商SK海力士，为本次行动式记忆体涨价受惠多厂商，LPDDR2的吃紧状态可能将维持1个季度以上，直到更多手机厂采用LPDDR3颗粒于新机种中，预计到第3季才有可能舒缓供货吃紧状况。
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