来源：EEWORLD
时间：2014-04-08
采用超薄PowerPAK® 1212-8S封装的-20V P沟道器件在4.5V下RDS(ON)低至4.8 mΩ。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 4 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第六届年度产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的-20V P沟道MOSFET，在4.5V栅极驱动下的导通电阻仅为4.8mΩ，是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封装的首款器件。
《今日电子》杂志的编辑从2013年在中国市场上推出的数百款产品中，根据设计创新、在技术和应用上的显著改进，以及价格和性能上的重大成绩进行评估。Vishay的Si7655DN MOSFET因其在MOSFET领域取得的成功而获奖。
Si7655DN使用新的PowerPAK 1212封装版本和Vishay Siliconix的P沟道第III代技术，3.6mΩ (-10V)、4.8mΩ (-4.5V)和8.5mΩ (-2.5V)的导通电阻是业内低的。这些指标比接近的-20V器件提高17%以上。
Si7655DN的低导通电阻使设计者能在电路里实现更低的压降，提高电能使用效率，延长电池寿命。器件的PowerPAK 1212-8S封装高度为0.75mm，比PowerPAK 1212薄28%，可节省宝贵的电路板空间，同时保持相同的PCB布局设计。
