来源：EEWORLD
时间：2014-03-28
器件在4.5V和2.5V下的RDS(ON)低至34mΩ和45mΩ，占位面积2mm x 2mm，采用PowerPAK® SC-70封装。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 3 月27 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK® SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高电源效率，在4.5V和2.5V栅极驱动下具有20 V(12V VGS和8V VGS)器件中低的导通电阻，占位面积为2mm x 2mm。
今天发布的器件适用于负载和充电器开关、DC/DC转换器，以及智能手机、平板电脑、移动计算设备、非植入便携式医疗产品、带有小型无刷直流电机的手持式消费电子产品中电源管理应用的H桥和电池保护。SiA936EDJ为这些应用提供了34mΩ(4.5V)、37mΩ(3.7V)和45mΩ(2.5V)的极低导通电阻，并内建ESD保护功能。器件在2.5V下的导通电阻比接近的8V VGS器件低11.7%，同时具有更高的(G-S)防护频带，比使用12V VGS的接近器件的导通电阻低15.1%。
器件的低导通电阻使设计者可以在其电路里实现更低的压降，更有效地使用电能，并延长电池寿命。双片SiA936EDJ把两颗MOSFET集成在一个小尺寸封装里，简化了设计，降低了元器件数量，节省了重要的PCB空间。MOSFET进行了100%的Rg测试，符合JEDEC JS709A的无卤素规定，符合RoHS指令2011/65/EU。
SiA936EDJ现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十四周。
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