南韩两大IC厂发展各异　三星专注NAND Flash、SK海力士致力DRAM

   南韩记忆体晶片市场双雄三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)，未来发展的道路将出现分歧。据南韩每日经济报导，三星的发展重心从DRAM逐渐往长期成长潜力较好的NAND Flash转移，SK海力士则更致力于发展优势的DRAM。

南韩业者表示，三星电子和乐金电子(LG Electronics)均是出自南韩的全球性半导体大厂，为避免在国外市场互相争夺，将各往较具优势的领域发展，对南韩也将带来正面影响。

三星器兴厂自2006年启用，15条产线均生产DRAM， 2011年启动的16产线则为NAND Flash专用产线。三星选择以建构新产线的方式取代维修老旧产线。

南韩半导体业者透露，以三星电子资本支出的趋势来看，便能推测三星电子的动向。三星电子虽然对DRAM持续执行投资，但对NAND较为关注。

2014年上半启用的大陆西安厂也将做为NAND专用产线。三星投资70亿美元打造西安厂，就是为了能优先对在大陆境内生产的行动装置供应NAND Flash。以2013年下半市占率来看，三星DRAM市占率为35%，NAND为37%，NAND比重较高。

另一方面，因要正式跨入NAND市场，需并行大规模投资和技术研发，因而SK海力士决定先专注发展DRAM。SK海力士内部人员表示，知道NAND成长潜力大，但目前仍将集中发展DRAM。

SK海力士在DRAM的全球市场占有率为28%，而NAND Flash为13%。

SK海力士M10厂和近来投产的F产线，都是DRAM生产厂，7月即将完工的M14厂，也以生产DRAM为主。SK海力士的大陆无锡厂，同为DRAM厂。

三星的半导体研发投资，以高效能NAND研发为主，SK海力士的投资则致力于推动DRAM微型化，正能显现两大厂的策略性选择。

三星将研发焦点放在3D垂直结构的V NAND，SK海力士则因应微细制程的发展，加速进行DRAM微型化。