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传英特尔拟开发18核 Broadwell 芯片

来源:EEWORLD
时间:2013-12-20

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 英特尔正在为不远的将来规划什么样的高性能芯片?据专注于芯片产品的网站Vr-zone报道称,英特尔未来的Broadwell芯片将整合18个核心;而另一篇报道称,未来的Broadwell芯片将主打平板电脑市场。

 据报道称,英特尔未来的18核Broadwell-EP或EX Xeon芯片将采用英特尔未来的14纳米生产工艺来生产。

 Vr-zone报道称:“英特尔不会加快芯片的运行速度,而是增加每个芯片上的核心数量。”

 据称,该款18核芯片早也要等到2015年才能上市。英特尔还计划研发供台式机电脑和工作站使用的8核和10核高性能芯片。

 预计首款Broadwell芯片将在明年上半年发布。现在核心数量多的英特尔芯片拥有12个核心。

 如果软件能够很好地利用增加的核心的话,增加处理器的核心数量就可以提高性能。

 但那并非英特尔为Broadwell芯片制定的全部计划。据《处理器世界》(CPU World)报道称,在处理器技术研发的另一端,未来的Broadwell芯片的热封套可能会低至4.5瓦。

 那样,Broadwell芯片就能够被用于平板电脑和一体机。英特尔近一直很关注一体机市场。

 英特尔对此未予置评。

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