来源：元器件交易网
时间：2013-11-21
11月20日消息，根据韩国内存芯片制造商SK海力士消息，公司已经开始大规模批量生产64GB 16nm MLC NAND闪存芯片。
公司表示，SK海力士的16nm NAND闪存已于6月进入版本的批量生产，近已开始第二版本的大规模生产。由于芯片尺寸更小，这样更具成本竞争力。
公司指出，SK海力士还根据16nm 64Gb MLC的规格和耐力开发出128GB（16GB）MLC芯片，定于2014年初批量生产。
公司表示，一般来说，越薄的工艺技术能更有效地缩小单元之间更频繁的干扰，但SK海力士应用的气隙技术（Air-Gap），克服了单元之间的干扰。气隙技术使用真空孔在电路之间构建绝缘屏蔽，而不是用化学物质隔离。
