韩国NAND Flash大厂SK海力士(SK Hynix)积极建立芯片设计团队，继买下美系NAND Flash设计公司LAMD后，近期更出手买下USB 3.0设计厂银灿旗下内嵌式存储器(eMMC)部门，将成立新公司落脚台元科技园区，创下国际存储器大厂在台成立IC设计公司首例，但由于海力士未来恐会收回多数控制芯片对外采购权，引发业界震撼。
目前美光(Micron)和海力士仍采用台厂eMMC控制芯片，但美光频频释出有意建立自己的IC设计团队讯息，而海力士布局动作更明显，2012年底以2亿美元买下美系NAND Flash设计公司LAMD，近期又买下台系USB 3.0设计公司银灿旗下eMMC部门。
存储器业者透露，海力士买下银灿eMMC团队，并落脚台元科技园区成立新IC设计公司，这亦是首次有NAND Flash大厂在台湾成立新IC设计公司，且专注于芯片研发。银灿对此指出，公司资金充裕，但因为产品规划策略转向，遂决定出售eMMC团队，未来将以USB 3.0、工控存储器等产品为主轴。
事实上，海力士先前传出在台湾评估多家NAND Flash芯片设计公司，但由于锁定的是eMMC产品线，而非闪存卡和优盘控制芯片，后与银灿达成交易。
存储器业者指出，随著控制芯片商机转进智能型手机、平板计算机用的固态硬盘(SSD)和eMMC后，上游NAND Flash大厂纷重新抓回控制芯片采购权，目前包括三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)等，都坚持只用自家NAND Flash控制芯片，有别于过往闪存卡和优盘时代，大量释单给台系IC设计公司。
存储器业者认为，智能型手机、平板计算机大量采用eMMC后，此市场大饼看似商机惊人，但其实控制芯片市场85％都掌握在上游NAND Flash大厂手上，台厂仅能吃到白牌山寨订单，很多商机是看的到、吃不到。
另外，eMMC和SSD是高阶产品，需要制程越来越先进，不像传统闪存卡或优盘，制程技术仅需要0.11或0.13微米即可，像是三星从2014年开始将会从40纳米转进28纳米制程，海力士亦会跟进，但28纳米单是光罩费用就要新台币1亿元，台系IC设计公司多属于中小型规模，没有资金可以追逐先进制程。
存储器业者指出，平均一个约20人的eMMC团队，加上光罩等费用1年至少要新台币1.0亿~1.5亿元，加上产品线开发2年要近3亿元，况且内嵌式存储器技术门槛高，系统厂认证时间更长，新产品在2年内势必无法放量，对台厂资金压力不小。
海力士内部一直有掌握eMMC和SSD控制芯片计划，尤其2013年上半经历eMMC被系统厂退货事件，让海力士加快脚步作此决定，这也反映NAND Flash大厂在进入内嵌式存储器时代后，恐收回多数芯片采购权，策略走向由外购转向自制。
