东芝采用硅上氮化镓工艺打造白光LED产品

来源：21ic
时间：2013-08-14

分享至：

21ic讯东芝公司(Toshiba Corporation)近推出采用硅上氮化镓(GaN-on-Si)工艺打造的白色LED产品。LED可降低正向电压(VF)，属于亚瓦型低功耗产品。该产品将以两种封装推出：采用3.0 x 1.4mm封装的TL2FK系列以及采用3.0 x 3.0mm封装的TL3GA系列。该产品计划于2013年8月投入量产。

应用

一般照明光源，包括直管灯、灯泡、衬底灯光和天花灯

特性

1. 采用硅上氮化镓工艺打造

2. 两个系列产品分别以3.0 x 1.4mm和3.0 x 3.0mm两种不同封装推出

3. 低功耗

标签国外IC搜索电子元器件搜索电子元器件采购 Digkey搜索 Mouser搜索

上一篇:平板电脑、智能手机发展迅速计算机销量下滑

下一篇:英特尔新Haswell超极本不被看好或将难翻身