来源：互联网
时间：2013-08-08
对生产存储容量更大的闪存片来说，关键的挑战在于它的尺寸。因为随着密度的增加，晶体间互相干扰和闪存故障的几率也相应增加，所以想制作一款容量大尺寸小的闪存，还是存在一定的难度。不过近日，制造商三星在这点上有了新的突破，它正大批生产首款3D垂直NAND闪存，也可称其为V-NAND。
三星制作的垂直NAND闪存改变了以往传统的2D面板架构，而采用具有更多呼吸空间的3D晶体构造。如此一来，该3D闪存在更高的密度下也保证了更高的可靠性和速度。三星称采用新技术的闪存比之前的老款可靠2到10倍，且数据写入速度是之前的两倍。初版本的V-NAND芯片提供了16GB的容量，这种高容量我们在其他闪存上也见过，但是我们相信等到一块芯片可以包含多达24层晶体面时，它的容量会迅速提升。
目前，三星还未指定首批使用V-NAND闪存的设备，但是我们相信这些设备很快就能到来。如果有一天，你发现你的手机或者SSD容量超大，也不必感到惊奇了。
