来源：EEWORLD
时间：2013-08-08
“在 模拟 领域，没有摩尔定律，没有发展蓝图，所有一切都要基于与客户的共同合作及讨论。” TI 模拟工艺开发副总裁Venu Menon日前表示。
数字芯片的进程是非常明显的：更精细化、更便宜以及更快速的晶体管，但线性器件却不是如此，它们需要捕获及处理更细微更广阔的信号源，Menon表示。
TI目前拥有78种不同的模拟工艺技术，其中20多个继承自美国国家半导体。
今天，TI模拟混合芯片工艺制程涵盖从500纳米到65纳米，同时也使用45nm代工部分模拟混合信号技术，但Menon表示，250nm工艺是目前主流的工艺，“绝大多数模拟产品都不需要100nm及以下工艺。”
“模拟芯片强调的工艺不是更细的栅极，而是更好的性能表现及功率特性。”TI电源管理高级副总裁Sami Kiriaki表示。有些工艺旨在支持600-700伏高压，有些工艺更强调高击穿电压，有的则侧重于转换频率，还有些在乎寄生电容电阻等。
模拟技术总是要以满足于应用为前提，例如同样是电池管理系统，电动汽车领域要求处理多电池管理系统，而在传感器节点上的能量收集装置，则需要关注晶体管和电容所引起的漏电，以进一步降低功耗。
LED驱动，无线充电套装，毫米波雷达收发器以及其他不同的应用需要不同的工艺。
“模拟代工厂很难为客户定制所有需要，因为他们需要尽可能标准的工艺和足够的产能以赚取更多的利润。”Kiriaki表示，“多样化是我们在模拟领域一个强有力的竞争优势。”
