来源：电子工程网
时间：2013-08-07
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位于美国加州的创业公司
Crossbar
今天发布了一种新型的芯片，能以邮票大小的体积存储 1TB 的数据。这种芯片采用
RRAM
技术（可变电阻式记忆体，Resistive Random Access Memory），可颠覆传统的闪速
存储器
，数据存储速度是其 20 倍，很有可能成为每年 600 亿美元闪存市场的有力竞争者。
由于闪存是从 iPhone 到平板电脑到数码相机都必备的硬件之一，因此 Crossbar 的前景被投资者看好，获得了来自 Kleiner Perkins Caufield & Byers，Artiman Ventures 和 Northern Light Venture Capital 的 2500 万投资。 和闪存一样，RRAM 也是一种非易失性的存储器，这意味着数据可以储存不丢失，哪怕是在电源被切断的情况下。而 Crossbar 在其设计中采用了三层结构的设计——一个非金属底层电极，中间的无定形硅交换介质，还有上层的金属电极。当电压施加至两电极时，它交换介质内会形成一定数量的电阻细丝，因此其电阻式可变换的。 通过 Crossbar 的芯片，未来手机和平板的存储速度、备份、归档等各方面性能都将有所提升。而从企业角度出发，供应商可以在数据中心中搭建 SSD 和云计算设备。RRAM 还可运用于物联网中，甚至智能电表、恒温器这样的智能设备，以及诸如 Google Glass 等可穿戴式设备，因为它的电耗更低，可以延长电池使用寿命。 目前 Crossbar 团队有 20 位成员，正准备自己制造芯片并向市场出售，同时也打算向 system-on-a-chip 的供应商提供技术支持，在同个芯片中将 RRAM 和其它组件联系到一起。Crossbar 申请了 100 项相关专利，其中 30 项已被批获。 IHS 的高级分析师 Michael Yang 说： 我们今天所存储的 90% 的数据都是近两年产生的。实时的数据生成和接收越来越成为现代生活的一部分，并且在未来几年还会快速增长。然而，我们过去一直沿用至今的存储方式，比如二维的 NAND（一种存储技术），在物理和工程方面都显露出巨大的局限性。而 Crossbar 的 RRAM 恰好迈过了这道门槛，因此很有可能成为未来取代性的存储技术解决方案。 SOURCE: venturebeat.com |
