来源：中国电子网
时间：2013-07-17
闪存行业的制程竞赛又到达了另一个里程碑。镁光表示，该公司已经开始样产业内小的128Gb(16GB)MLC闪存芯片。该芯片采用16nm的制程技术，比该公司的20nm工艺更加精细。镁光声称，对于任何样产的半导体装置来说，该16nm制程工艺是"先进的"。该公司计划在下一季度将16nm 128Gb的芯片带入量产(full production)阶段，当然，该芯片也将在明年推出的全新SSD产品家族中露面。
预计该16nm 128Gb芯片会覆盖USB驱动器、闪存卡、平板、智能机和数据中心SSD等产品。
因为更精细的制程，能够让相同的硅片出产更多的成品。转向16nm的128Gb(16GB)芯片，意味着零售端将出现更高容量/更低价格的固态硬盘，但是其速度可能明显比20nm的128Gb芯片要慢。
目前的8通道SSD控制器，每个通道可以连上4个NAND芯片，因此要实现峰值的性能，就需要32颗闪存芯片。搭建240-256GB的驱动器，只需要16颗128Gb的闪存。
