来源：EDN电子设计技术
时间：2011-08-12
目前看来，ARM似乎肯定会采用平面的22nm工艺，而英特尔则会采用Tri-Gate三栅极3D晶体管。要评判三栅极晶体管能否为英特尔提供显著优势，先得回答一些问题：
· 英特尔称22nm三栅极晶体管功耗比自己的32nm平面晶体管低50%。但22nm三栅极晶体管与22nm平面晶体管的功耗差异有多大呢？
· 采用22nm三栅极晶体管之后，芯片能比采用22nm平面晶体管节省多少功耗？10%，30%，还是50%？
这些都不难估算，我们来做个测试。
晶体管级的计算
图1.英特尔新闻发布会上展示的晶体管I-V特性数
英特尔在自己的新闻发布会上展示了一些具体的晶体管I-V曲线。这些曲线在图1经过重制。根据这些数据你可以得到图2中的信息。你会注意到22nm 三栅极晶体管的电源电压能够比32nm平面晶体管低50%，但只比22nm平面晶体管低19%。
图2.三栅极晶体管和平面晶体管的晶体管级对比
