来源：电子工程世界
时间：2012-02-24
北京时间2月23日晚间消息，东芝周四表示，该公司已经与闪存技术开发商SanDisk共同研发出全球小的128Gbit(16GB)NAND闪存芯片。
该闪存芯片采用19nm新工艺，大小为170平方毫米，比一枚普通硬币还小。
该闪存芯片运用3-bit-per-cell存储技术。该存储技术虽然比2-bits-per-cell存储技术更为高效，但存在稳定性不强的问题。这也意味着该闪存芯片将首先用于记忆棒和记忆卡。
据悉，作为苹果等公司主要供应商的东芝将于本月开始生产这种闪存芯片。
随着芯片生产商争相追逐更小的芯片产品，他们在生产设备上的投入将大大增加。
