IC产业实现跨越发展的三大对策

要实现我国 IC 产业跨越式发展，必须抓好三方面的工作。

一是顶层设计，前瞻性合理布局产业链。

应结合国家安全和国民经济发展的支柱产业配套需要以及IC应用，前瞻性合理布局产业链。采用计划与市场双管齐下措施，通过整合境内外产业链环节的资源，形成优势互补，创新集成构建广义IDM产业联盟，实现自主可控的合理IC产业链布局，实现跨越发展。国家产业政策应具有前瞻性、科学性和全局性。出台鼓励战略性新兴产业发展的金融、财税等优惠政策，研究和探索促进实现广义IDM产业联盟共同利益的外贸政策。

二是引进消化吸收再创新，实现专利升级并有偿共享，加速突破技术障碍。

后发国家和地区要实现追赶和超越，学习和模仿是一种好途径。日本、韩国和我国台湾地区的成功模式值得我们借鉴，通过引进消化吸收再创新，实现为我所用并升级。通过鼓励有偿使用境内外专利，合理限制境内专利外流，逐渐形成促进有偿共享知识产权专利的机制，促进企业对知识产权专利的应用或者企业联合攻关，形成紧密联盟，汇聚创新合力，加速突破技术障碍，不断推陈出新。

相关配套政策和措施有：鼓励和发展中介机构的政策体系，专利有偿共享的法律保障体系，激励科技成果转化或者知识产权专利转让的科技政策；政府或者中介机构搭建成果交易平台，促进科技成果转化，科技转化为经济，形成新的生产力。

三是完善官学研产体制，搭建高效的运行机制和制度保障平台，推动我国集成电路产业跨越发展。

完善官学研产体制，学习借鉴台湾“工研院”电子所模式。根据经济学比较优势理论，后发国家和地区要顺利成长，首先应实现高质量的学习过程和重构创新体制以及运行机制。学习借鉴台湾“工研院”电子所模式，是实现IC产业升级并促进电子信息产业快速发展的有效途径。

以中国大型电子科技企业为核心组织成立具有“工研院”电子所功能的机构，作为探索技术政策和支持开发高新技术的基础，作为技术转化为生产能力的孵化器，作为新的生产能力投资的引导和组织者，帮助中小企业克服进入新的产业、建立新的技术研发和生产能力所面临的技术障碍。借鉴“工研院模式”还能够以重要军工微电子研究所为核心(具有政府属性、较强研发能力)，选择有发展前景的共性技术攻关，将攻关技术成果由军工领域向民用领域辐射。

组织开展微电子器件新技术、新产品和新工艺的研究与开发，新技术成果转让、移植和成立衍生微电子器件制造公司等工作。充分地担当产业界技术路线图引导者和组织者的角色，通过组织开发、技术扩散，为产业界获得建立新产业所必需的技术，降低投资的不确定性，有效地控制风险，助推中小企业成长，为实现涉及国家安全的战略性产业的自主可控留出一定的空间。