Xilinx和TSMC联手采用16FinFET打造性能FPGA

21ic讯 赛灵思公司 (Xilinx, Inc. )和台积公司日前共同宣布联手推动一项赛灵思称之为“FinFast”的专项计划，采用台积公司先进的16纳米 FinFET (16FinFET) 工艺打造具备快上市、性能优势的FPGA器件。双方分别投入所需的资源组成一支专属团队，针对 FinFET 工艺和赛灵思 UltraScale™ 架构进行化。基于此项计划，16FinFET 测试芯片预计2013年晚些时候推出，而首款产品将于2014年问市。

此外，两家公司也在共同合作藉助台积公司的CoWoS 3D IC制造流程以实现级别的3D IC系统集成度及系统级性能，双方在此领域合作的相关产品将稍后择期另行发布。

赛灵思公司总裁兼 CEO Moshe Gavrielov 指出：“我非常相信，赛灵思同台积公司在16纳米 “FinFast”计划上的合作将延续双方之前在各项先进技术上所获得的成果和领导地位。我们致力于和台积公司合作是因为台积公司在工艺技术、设计实现、服务、支持、质量和产品交货等各方面，都是专业集成电路制造服务行业的。”

台积公司董事长兼 CEO 张忠谋博士表示：“我们同赛灵思携手合作，致力于将业界性能、集成度的可编程器件迅速导入市场。我们将通力合作，于2013年和2014年分别先后推出采用台积公司20SoC 工艺与16FinFET 工艺的世界级产品。”

台积公司近宣布将16FinFET 工艺技术的生产进程提前至2013年。赛灵思与台积公司的合作，除了将充分受惠于该工艺技术生产进度加快之外，还享有台积公司16nm FinFET 技术所带来的高性能与低功耗优势。

赛灵思同台积公司的合作，将高端 FPGA 的各项需求导入 FinFET 的开发过程，恰如其在28HPL 和 20SoC工艺开发时的做法一样，双方将进一步针对台积公司的工艺技术、赛灵思的 UltraScale 架构和新一代开发工具统统进行化，以实现合作成果。UltraScale 是赛灵思的 ASIC 级架构，能从20纳米平面式工艺到16纳米以及更先进的FinFET工艺进行扩展，也可以通过3D IC 技术进行系统单芯片的扩展。