TD-LTE芯片：多模多频集结发力

　　导读：随着越来越多LTE手持类智能终端和平板电脑的开发与问世，对关键芯片基带、射频以及处理器的要求也水涨船高，当然也要与终端定位相平衡。当前，入门级手机LTE单芯片向低成本、高集成度方向发展，高性能手机向高端AP、先进modem、高端多媒体处理能力的方向发展。

　　全球LTE的布网速度之快、力度之大让业界兴奋，同时也推动LTE终端迅速发展。根据GSA数据，至3月27日，全球共发布821款LTE用户设备，其中LTE TDD用户设备为166款。联芯科技总裁助理刘光军指出：“目前LTE终端产品在模式上比较多样化，单模、双模、4模、5模纷呈，频段的支持情况也发展各异。在终端形态方面主要为数据类终端，包括上网卡、MiFi、CPE等，手持类终端较少。随着LTE终端芯片的发展，28nm工艺芯片的推出，将支持更多TD-LTE手持类智能终端和平板电脑问世，将呈现出比3G时代更加多样化的特征。”随着终端市场百花齐放，芯片厂商也都集结发力，在多模多频的道路上演绎自身传奇。

　　随着终端市场百花齐放，芯片厂商也都集结发力，在多模多频的道路上演绎自身传奇。

　　关键芯片需升级

　　随着越来越多LTE手持类智能终端和平板电脑的开发与问世，对关键芯片基带、射频以及处理器的要求也水涨船高，当然也要与终端定位相平衡。“当前，入门级手机LTE单芯片向低成本、高集成度方向发展，高性能手机向高端AP、先进modem、高端多媒体处理能力的方向发展。”Marvell移动产品总监张路博士表示，“在运营商的推动下，这两种模式将向‘多核、多模、多频’三个方向发展。”

　　刘光军也指出，多模多频、低功耗和高集成度成为开发LTE芯片的重要门槛和难点。“为更好地满足运营商多网运营和国际漫游的需求，要求TD-LTE芯片能够支持多模多频段，如LTE-FDD、TD-LTE、WCDMA、TD-SCDMA、CDMA2000、GSM/GPRS/EDGE多种移动通信制式，支持通信频段也从FDD Band1～25到TDD Band 33～44，数量繁多，支持频率从700MHz到3.5GHz，跨度巨大。”刘光军指出。

　　随着市场需求提升和技术不断进步，张路认为，LTE芯片的集成度将不断提高，处理能力也将大幅度提升，同时对多媒体的处理能力将会增强。具体表现为对视频处理能力、音频处理能力(如多声道、干扰消除需求等)提出更高要求。刘光军还提到，LTE芯片计算能力、图形处理能力和多媒体处理能力要求逐步提高。CPU频率从1GHz向2GHz演进，由单核向多核演进，图形处理由纯3D/2D图形加速向辅助计算演进，同时还要确保用户的使用时长。

　　未来LTE芯片在工艺上都要“与时俱进”。刘光军指出，高集成度、低成本、低功耗和高性能需求联合推动LTE芯片加速向20nm甚至更先进工艺演进，同时要求更先进的封装技术。单芯片SoC、系统级封装也有助于实现芯片的小型化，进一步降低成本。

　　此外，频段不统一是当今全球LTE终端设计的障碍，目前全球共有40种不同的射频频段。因而，在射频前端解决方案方面，也需要相关厂商着力解决。美国高通技术公司产品市场副总裁颜辰巍表示，高通的射频前端解决方案RF360在缓解这一问题的同时，能够提高射频的性能，帮助OEM厂商更容易地开发支持所有7种网络制式的多频多模移动终端。