英飞凌40V OptiMOSTM T2功率晶体管荣获OFweek2013电子行业年度技术创新奖

2013年4月12日，上海——4月11日下午， OFweek光电新闻网 （以下简称OFweek）和OFweek电子工程网在深圳联合主办了2013电子行业年度评选活动， 英飞凌 科技公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY，以下简称英飞凌）产品 40V OptiMOSTM T2 功率 晶体管 荣获了 技术创新奖 。英飞凌科技（中国）有限公司汽车电子事业部市场总监杜曦先生出席了颁奖仪式并代表英飞凌领取了该奖。

英飞凌40 V OptiMOSTM T2功率MOSFET器件结合采用了创新的封装技术和英飞凌的薄晶圆工艺，规格性能超出同类所有其他产品。英飞凌采用扩散焊接芯片贴装工艺生产TO-220、TO-262和TO-263等无铅封装。鉴于对于封装几何结构、芯片焊垫厚度和芯片尺寸的特定要求，扩散焊接芯片贴装工艺到目前为止是世界上可以实现上述三种封装的生产工艺。

这些MOSFET系列器件使得英飞凌不但率先达成现行的RoHS（有害物质限制指令）有关用于将芯片附着到封装的铅基焊料的要求，而且可以满足即将在2014年之后实施的更严格的ELV RoHS指令要求。作为业界款完全无铅的MOSFET，英飞凌的这些器件可帮助客户满足目前和将来这方面的严格要求。

英飞凌获得专利的无铅芯片贴装（芯片和封装引线框架之间互联）采用扩散焊接方法，可改善芯片的电气和热性能、可制造性和质量。这种芯片贴装技术结合英飞凌的薄晶圆工艺（60微米，而不是标准的175微米）可让电力半导体器件实现如下几大改善：
 因为不采用铅和其他有毒材料，因此是一项环保技术
 结合采用扩散焊接芯片贴装工艺和薄晶圆技术，可显著降低器件的导通电阻（RDS(on)）
 热阻（RthJC）改善40%至50%，因为传统铅基软焊材料的导热性较差，阻碍了MOSFET结上产生的热量的消散
 由于不存在溢焊和芯片倾斜现象，而且没有更严格的RDS(on) 和RthJC分布要求， 结果改善了芯片的可制造性。由于产品内部的电机压力得以降低，进而可改善产品的可靠性和质量

OptiMOS T2 40V——即IPB160N04S4-02D的规格为：电流160A；RDS(on)仅2.0mΩ；RthJC为0.9K/W。与采用标准铅基芯片贴装焊接工艺的同类器件相比，导通电阻降低20%。此外，采用英飞凌获得专利的扩散焊接工艺降低了“芯片到引线框架”的热阻，使得OptiMOS T2具备同类性能。

英飞凌科技（中国）有限公司汽车电子事业部市场总监杜曦先生表示：“很荣幸我们获得了 OFweek2013 电子行业年度技术创新奖，非常感谢OFweek以及业界对我们公司及产品的认可。英飞凌一直以来都十分强调创新精神，以满足客户和市场快速发展的需求，这也是成就英飞凌公司成为全球汽车半导体器件供货商的驱动力，使得英飞凌公司在过去十多年里能保持功率器件出货量的位置。我们公司将不断加大在创新方面的投入，为广大客户带来更多更好的产品。”

关于OFweek Awards

OFweek Awards于2011年首次举办，以表彰在行业技术创新和产品设计方面有突出贡献的优秀企业和工程师。该评选来自国内外权威行业协会、高等院校、科研机构的资深专家组成的独立评审团以公平、客观的立场，对参赛企业进行讨论及筛选， 其次通过OFweek 广大网友提名投票， 终通过专家组终审评选出年度代表性的创新技术、优秀产品及企业。

关于英飞凌
总部位于德国纽必堡的英飞凌科技股份公司，为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。2012财年（截止到9月30日），公司实现销售额39亿欧元，在全球拥有约26,700名雇员。英飞凌科技公司的业务遍及全球，在美国苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。英飞凌公司目前在法兰克福股票交易所（股票代码：IFX）和美国柜台交易市场（OTCQX）International Premier（股票代号：IFNNY）挂牌上市。

英飞凌在中国
英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国市场。自1996年在无锡建立家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国拥有1300多名员工，已经成为英飞凌亚太乃至全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链，并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内的企业、高等院校开展了深入的合作。