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IDT压电式MEMS振荡器:10/40G以太网看过来

来源:电子工程网
时间:2013-04-16

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近日,IDT 推出4H系列MEMS 振荡器 ,具有出色的可靠性和精度,可在万兆(10G/40G)以太网应用中替代传统的晶振。

据IDT公司总经理Harmeet Bhugra介绍, 与石英晶振相比,4H系列MEMS振荡器的可靠性要高出40倍。它具有零扰动,我零时故障,我静摩擦问题,并且具有高抗冲击和振动性能。在万兆以太网应用中, 4H系列MEMS振荡器的典型相位抖动是100 飞秒(0.1皮秒),输出频率可修改范围达到±1000 ppm,可降低高性能万兆以太网和网络应用的误码率,是替代石英晶振的理想选择。

这款产品支持LVDS/LVPECL/CMOS的输出。它可满足小尺寸(3.2×2.5mm)的封装,频率可以高达625MHz,工作温度范围可达-40度至85摄氏度。

4H系列 的产品基于IDT公司的 pMEMS (压电MEMS)技术。IDT公司为这项技术已经获得或者即将待定的专利有40项。

与石英产品一样,pMEMS振荡器是无源的,即不需要外部电源,而电容式MEMS振荡器是有源的。压pMEMS支持更高的固有频率,具有更好的噪音的性能。因为它是基于压电技术,所以pMEMS振荡器也没有静摩擦的问题,不会造成稳定性的方面的一些故障。

IDT公司的首款pMEMS振荡器是2012年5月推出的,称作4M系列(M代表MEMS)。2013年2月,该公司又推出了具有4个频率输出的增强型4E系列pMEMS振荡器。目前的4H系列为高性能版本,适合高端通信应用需求。





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