日立
制作所中央研究所（以下简称日立中研）在2013年3月27～30日举行的“日本第60届应用物理学会春季学术研究会”的“SiC功率电子技术的前沿”会议上，就该公司正在开发的SiC
JFET
发表了演讲。SiC功率晶体管除了JFET之外还有MOSFET。与SiC MOSFET相比，SiC JFET具有多项优点，比如迁移率高、导通电阻小、没有MOSFET那样的氧化膜，因此不会发生氧化膜导致的可靠性问题，等等。
普通SiC JFET即使不向栅极施加电压也会导通，为“常开工作”。因此，在提高电源电路的安全性时，需要使JFET本身常闭，或者串联常闭工作的Si MOSFET。种方法虽然不需要Si MOSFET，但存在栅极泄漏电流大、阈值电压低，以及需要高精度的专用驱动电路等课题。
而第二种方法具有可利用常闭JFET以及原来的Si功率元件用驱动电路的优点。但同时也存在需要Si MOSFET这一外置部件，以及工作温度由Si MOSFET决定的课题。两者各有利弊，目前接近产品水平的是第二种方式。
在演讲中，日立中研介绍了试制的两种SiC JFET。一种为常闭工作型产品，耐压在700V以上，导通电阻在室温下为27mΩ，在125℃下为38mΩ。单元间距为2μm，有源区域为3.9mm见方。在沟道实施局部掺杂，在降低沟道电阻的同时确保了耐压。
另一种是常开工作型产品。试制了串联Si MOSFET、将两块芯片封装到一个TO-3P封装内的产品。耐压为783V，室温下的导通电阻为69mΩ。JFET芯片尺寸为2.5mm见方。Si MOSFET的耐压为60V，导通电阻为8mΩ。（记者：根津 祯，《日经电子》）
