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台积16纳米制程超前 估明年Q2量产

台积16纳米制程超前 估明年Q2量产
来源:经济日报 时间:2014-09-26

    台积电昨(25)日宣布成功以16纳米鳍式场效晶体管(FinFET)制程,为海思产出首颗应用在4G基地台及其它网通设备的处理器,向全球展现超强的技术实力。此举证实台积电有机会将16纳米制程的量产时程提前一季,于明年第2季量产。

    相较于先前英特尔宣布以14纳米FinFET技术产出的Core M处理器,希望赶在今年底上市,台积电16纳米制程量产时程仅落后半年。

    台积电认为,在16纳米方面不会遭遇英特尔以14纳米抢单;能与台积电分庭抗礼者为三星。目前三星规画将以14纳米制程为高通生产手机芯片,预定明年上半量产。

    但台积电昨天自信表示,台积电的16FinFET制程能显著改善速度与功率,并降低漏电流,有效克服先进系统单芯片技术微缩时所产生的关键障碍。

    台积电拿16纳米FinFET和目前营收主力28纳米高效能行动运算(28HPM)制程比较,16FinFET制程的芯片闸密度比28纳米多两倍,相同功耗下,速度增快逾40%;相同速度下,功耗降低逾60%。

    台积电为海思生产的首颗16纳米全新处理器,采用安谋(ARM)32核心Cortex-A57架构,可支持高阶网通应用产品。海思同时也采用台积电CoWoS三维集成电路(3D IC)封装技术。

    台积电共同执行长刘德音昨日对外宣布上述喜讯,强调台积电投入FinFET制程研发已超过十年,很高兴诸多努力获得回馈并缔造此项成就,16纳米FinFET技术突破,也将让台积电在专业晶圆代工先进制程上,续保持长期地位。

    设备商透露,台积电已对设备协力厂提出采购要求,希望在短时间内,于明年第1季于南科Fab 14 P7厂,进行16纳米产能扩大装机作业,希望将月产能拉升至5万片。

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