处理中...

首页 > 电子元器件知识 > 二极管 >

瞬态抑制二极管及其特点和参数

瞬态抑制二极管及其特点和参数

时间:2022-01-11 18:38:10   来源:网络整理

瞬态电压抑制二极管(Transient Voltage Suppressor)简称TVS,是一种二极 管形式的高效能保护器件。当TVS 二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它 能以10的负12次方秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的 浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元 器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。

瞬态抑制二极管的特点

1、将TVS 二极管加在信号及电源线上,能防止微处理器或单片机因瞬间的脉冲,如静电放电效应、交流电源之浪涌及开关电源的噪音所导致的失灵。

2、静电放电效应能释放超过10000V、60A 以上的脉冲,并能持续10ms;而一般的TTL 器件,遇到超过30ms 的10V脉冲时,便会导至损坏。利用TVS 二极管,可有效吸收会造成器件损坏的脉冲,并能消除由总线之间开关所引起的干扰(Crosstalk)。

3、将TVS 二极管放置在信号线及接地间,能避免数据及控制总线受到不必要的噪声影响。

瞬态抑制二极管参数

①反向漏电流ID和额定反向关断电压VWM。

VWM 是TVS 连续工作的直流或脉冲电压,当这个反向电压加入TVS 的两极间时,它处于反向关断状态,流过它的电流应小于或等于其反向漏电流 ID。

②小击穿电压VBR 和击穿电流IR

VBR是TVS 小的雪崩电压。25℃时,在这个电压之前,TVS 是不导通的。当TVS 流过规定的1mA 电流(IR)时,加入TVS 两极间的电压为其小击穿电压VBR。按TVS 的VBR 与标准值的离散程度,可把TVS 分为±5%VBR和±10%VBR 两种。对于±5%VBR来说,VWM=0.85VBR;对于±10%VBR 来说,VWM=0.81VBR。

③箝拉电压VC 和峰值脉冲电流IPP

当持续时间为20微秒的脉冲峰值电流IPP 流过TVS 时,在其两极间出现的峰值电压为VC。它是串联电阻上和因温度系数两者电压上升的组合。VC 、IPP反映 TVS 器件的浪涌抑制能力。VC 与VBR 之比称为箝位因子,一般在1.2~1.4之间。

④电容量C

电容量C 是TVS 雪崩结截面决定的、在特定的1MHZ频率下测得的。C 的大小与TVS 的电流承受能力成正比,C 过大将使信号衰减。因此,C 是数据接口电路选用TVS 的重要参数。

⑤峰值脉冲功耗PM

PM 是TVS 能承受的峰值脉冲耗散功率。其规定的试验脉冲波形和各种TVS 的PM 值,请查阅有关产品手册。在给定的箝位电压下,功耗PM 越大,其浪涌电流的承受能力越大;在给定的功耗PM 下,箝位电压VC 越低,其浪涌电流的承受能力越大。另外,峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且TVS 所能承受的瞬态脉冲是不重复的,器件规定的脉冲重复频率(持续时间与间歇时间之比)为0.01%,如果电路内出现重复性脉冲,应考虑脉冲功率的“累积”,有可能使TVS 损坏。

⑥箝位时间TC

TC 是TVS两端电压从零到小击穿电压VBR 的时间。对单极性TVS一般是1×10-12秒;对双极性TVS一般 是1×10-11 秒。

云汉芯城(ICkey)重点聚焦国内电子制造业在研发试产阶段对产品技术选型、小批量一站式采购配套服务,借助电子元器件大数据、国产器件替代数据库和BOM智能选型等先进技术和工具,提高企业研发效率。

(免责声明:素材来自网络,由云汉芯城小编搜集网络资料编辑整理,如有问题请联系处理!)